金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，维尔威泰克有限责任公司申请一项名为“通过电子波阵面的原子层刻蚀”的专利，公开号CN120226120A，申请日期为2023年08月。

专利摘要显示，提出了使用精确受控的电子的晶片级波对衬底进行原子层蚀刻(ALE)。在接近衬底的DC等离子体的正柱中生成均匀稳态成分的包括稀释剂物类和反应性物类以及电子的气态等离子体体积。通过将反应性物类吸附至衬底的表面处的原子来在衬底上形成腐蚀层。对衬底进行正偏置，以将电子从体积吸取到衬底的表面并向电子赋予能量，以刺激腐蚀层物类中的电子跃迁，导致腐蚀层物类经由电子刺激解吸(ESD)喷射。对衬底进行负偏置，以将电子从衬底的表面排斥回至体积，然后是零偏置以恢复体积的稳态成分。

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